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- AIXTRON Pressemeldungen :: AIXTRON
AIXTRON präsentiert neue G10-GaN für die Leistungselektronik EQS-Media 06 09 2023 12:34 CET CEST AIXTRON präsentiert neue G10-GaN für die Leistungselektronik Die Anlage bietet die beste Performance ihrer Klasse und ein kompaktes Cluster für die Großserienfertigung von GaN-basierten Leistungs- und HF-Bauelementen
- Aixtron: Ein künftiger Stern am KI-Himmel? Was dafür spricht!
Auch ermöglichen die G10-GaN-Systeme laut Aixtron höhere Produktionsvolumina bei geringeren Kosten pro Wafer, verbessern die Energieeffizienz der Bauelemente und erlauben eine gleichmäßigere
- AIXTRON präsentiert neue G10-GaN für die Leistungselektronik
EQS-Media 06 09 2023 12:34 CET CEST AIXTRON präsentiert neue G10-GaN für die die Bedeutung von GaN-basierten Technologien: Die On-Board-Sensoren werden durch eine neue Software-Suite
- Nexperia nutzt AIXTRON für 200mm SiC- und GaN-Power
AIXTRON unterstützt Nexperia beim Ausbau seiner 200mm-Volumenproduktion für Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN) Leistungsbauelemente Der Halbleiterkonzern hat sich für einen Folgeauftrag für AIXTRONs G10-SiC entschieden, ergänzt durch eine weitere Bestellung für AIXTRONs G10-GaN-Anlagengeneration
- AIXTRONs Rolle in der Entwicklung von Zukunftstechnologien
Das Unternehmen bietet Dienstleistungen rund um die Entwicklung, Produktion und Installation von Anlagen zur Deposition von komplexen Halbleitungsmaterialien wie Galliumnitrid (GaN) an Die in den Anlagen des Konzerns hergestellten technischen Produkte überzeugen vor allem durch ihre Energieeffizienz und hohe Ladegeschwindigkeiten
- Aixtron: Ein künftiger Stern am KI-Himmel? Was dafür spricht!
Das G10-GaN-System zeichnet sich insbesondere durch seine Skalierbarkeit, hohe Produktivität und Reproduzierbarkeit aus Auch ermöglichen die G10-GaN-Systeme laut Aixtron höhere Produktionsvolumina bei geringeren Kosten pro Wafer, verbessern die Energieeffizienz der Bauelemente und erlauben eine gleichmäßigere Schichtqualität
- AIXTRON präsentiert neue G10-GaN für die Leistungselektronik
AIXTRON SE (FSE: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) bringt eine neue Cluster-Lösung für die Herstellung von Leistungs- und Hochfrequenz (HF)-Bauelementen auf Basis von Galliumnitrid (GaN) auf den Markt Die G10-GaN und ihre innovativen Features stellt der führende Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie gerade auf der SEMICON
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