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- 氧化镓 - 百度百科
氧化镓是一种无机化合物，化学式为Ga2O3。别名三氧化二镓，是一种宽禁带半导体，Eg=4 9eV，其导电性能和发光特性长期以来一直引起人们的注意。
- 氧化镓 - 维基百科，自由的百科全书
氧化镓是镓最稳定的氧化物，化学式为Ga 2 O 3 ，是一种无机化合物，白色的晶体粉末，具有两性。它是作为制造宽带隙半导体的一部分。
- 氧化镓：第四代宽禁带半导体材料 - 知乎 - 知乎专栏
超宽禁带半导体也属于“第四代半导体”，与第三代半导体 碳化硅 (SiC)、 氮化镓 (GaN)相比，氧化镓的禁带宽度达到了4 9eV，高于碳化硅的3 2eV和氮化镓的3 39eV，更宽的禁带宽度意味着电子需要更多的能量从价带跃迁到导带，因此氧化镓具有耐高压、耐高温、大
- 半导体材料超新星“氧化镓”，中外研究进展如何？-电子工程专辑
氧化镓是一种新型超宽禁带半导体材料，与碳化硅3 25eV、氮化镓3 4eV的带隙相比，氧化镓分为α、β、γ、δ和ε五种结晶形态，其中最为稳定的是β-氧化镓，其次是ε和α，目前大部分研究和开发也是针对禁带宽度在4 7eV和4 9eV之间的β-氧化镓进行。
- 一文看懂第四代半导体材料——氧化镓_腾讯新闻
使用氧化镓制作的半导体器件可以实现更耐高压、更小体积、更低损耗，因此它在光电探测、功率器件、射频器件、气敏传感、光催化、信息存储和
- 一文读懂氧化镓_北京大学东莞光电研究院
氧化镓：挑战碳化硅 氧化镓是宽禁带半导体中唯一能够采用液相的熔体法生长的材料，并且硬度较低，材料生长和加工的成本均比碳化硅有优势，氧化镓将全面挑战碳化硅。 （1）氧化镓的功率性能好、损耗低
- 氧化镓 CAS#: 12024-21-4 - ChemicalBook
氧化镓是一种新兴的功率半导体材料，其禁带宽度大于硅，氮化镓和碳化硅，在高功率应用领域的应用优势愈加明显。但氧化镓不会取代SiC和GaN，后两者是硅之后的下一代主要半导体材料。 氧化镓更有可能在扩展超宽禁带系统可用的功率和电压范围方面发挥作用。
- 氧化镓_化工百科 - ChemBK
中文名:氧化镓,英文名:Gallium(III) oxide,CAS:12024-21-4,化学式:Ga2O3,分子量:187 44,密度:6 44g mLat 25°C,熔点:1740 °C,水溶性:Soluble in acids Insoluble in water,折射率:1 92,MSDS
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