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从慢测到快取：如何精准提取MOSFET沟道迁移率？ - 知乎
沟道有效迁移率（µeff）是CMOS器件性能的关键参数。传统测量方法在高k介质、漏电介质与高速应用中易出现误差。本文介绍了 UFSP（Ultra-Fast Single Pulse）技术如何准确提取迁移率，克服这些挑战。
什么是载流子迁移率？ | 华算科技
本文讲解了载流子迁移率的基本概念及物理意义，详细介绍了常见的实验测量方法，包括霍尔效应法和场效应晶体管（FET）法，指出了各自的适用范围和局限性。
mosfet迁移率怎么求 - 电子发烧友网
随着新型介电材料的出现，传统的迁移率评估测量技术遇到了下一节中描述的许多问题，导致测量误差较大，因此需要一种新的迁移率提取技术。
场效应晶体管迁移率计算
高迁移率意味着载流子在电场作用下的运动速度更快，从而可以提高器件的工作频率和响应速度。以下是如何计算和评估FET迁移率的详细步骤和方法。
MOSFET - 清华大学出版社
MOS 和 PMOS。本节以 NMOS 为例,首先简单介绍 MOSFET 的结构与特性。NMOS 器件的简化模型如图 3 1 所示,器件制作在 P型衬底(衬底又称 Bulk 或 Body)上,两个重掺杂的 N型区(n+区)形成源端和漏端,源端和漏端为对称结构,重掺杂的多晶硅区作为栅极,一层薄 SiO2 将栅和
用Y函数法提取FET器件的迁移率和接触电阻 - 小木虫论坛
现在需要用Y函数法计算提取FET器件的迁移率和接触电阻数据，看了英文和中文文献，公式推导比较多，公式看明白了，但是实在看不懂具体用哪些数据怎么作的图和得出的迁移率和接触电阻数据。
从慢测到快取：如何精准提取MOSFET沟道迁移率？
UFSP技术通过创新的脉冲测量方法，在微秒级内实现精确迁移率提取。特别适用于CMOS工艺开发、材料评估与器件建模，是现代半导体测试的重要利器。
lt;br gt;使用新兴材料进行场效应晶体管迁移率评估和霍尔效应 . . .
然而，有关 FET 和霍尔测量的几个问题表明高估了迁移率，特别是非线性、噪声和迟滞 FET 特性、霍尔和 FET 载流子密度之间的三个数量级差异以及高激励电流和焦耳功率这些设备中应用的密度。