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- 碳化硅（SiC)芯片，指的是晶圆的沉底材料么？ - 知乎
SiC晶圆的晶型 硅化碳（Silicon Carbide，SiC）晶圆通常是单晶的，但是这些单晶SiC晶圆可能由不同的多晶形体构成，SiC的多晶形体包括3C-SiC、4H-SiC、6H-SiC等，每种多晶形都有自己独特的性质。
- 知乎盐选 | 3. 1 SiC 半导体材料的基本性质
SiC 独特的性质与其结构密切相关，为此首先需要了解 SiC 的结构。 SiC 有超过 200 多种多型结构，最普通的是立方 3C，六角 4H 和 6H，菱方 15R。 这些多型结构以 Si-C 双原子为结构的基本单元，采用不同的堆垛方式排列而成，如图 3-1 所示 [1，2]。
- 碳化硅（SiC)的优势是什么，能给电动汽车带有 . . . - 知乎
最后SiC还有一个重要的优势，就是非常适合高压的应用。 我们看到一些主流车厂已经把车的电池电压提高到了800V，以后的高压直流充电桩里面也是用的高压，在这些高压的应用里，以后SiC，特别是高压的1200V的碳化硅比硅会更有优势。
- 知乎盐选 | 7. 1 SiC 半导体
7 1 SiC 半导体 SiC 是最早被发现的半导体之一，由于它的带隙宽、电子迁移率高及电子饱和速度高、热导率高及机械强度大、抗辐射等方面的优良性能，使得它在高电压、高温和高功率应用方面有很大的吸引力。但是欧姆接触和高电压肖特基接触与 pn 结仍是必须解决的问题，尽管它是间接带隙半导体
- 关于半导体碳化硅（Sic）外延工艺技术的详解；
一、碳化硅（Sic）外延的基本介绍 1、基本概念 在半导体制造领域，“外延” 指的是在单晶衬底上生长一层与衬底具有相同晶体结构的单晶薄膜的过程。 碳化硅外延就是以碳化硅（SiC）单晶片为衬底，通过特定的工艺方法，在其表面生长出一层高质量的碳化硅
- SiC 和 IGBT 分别有什么特点？ - 知乎
碳化硅（SiC）的特点 金刚砂又名碳化硅（Silicon Carbide - SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石。 碳化硅 (SiC) 由于化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好，除作磨料用
- 第三代半导体GaN和SiC，未来发展将会怎样？ - 知乎
这几年GaN和SiC的呼声很高，但实际应用面并没有铺开，所以未来真的很有潜力吗？未来发展会怎样？
- SiC衬底的分类及应用有哪些？ - 知乎
导电型SiC衬底的核心应用集中在400V-750V中低压功率场景，英飞凌作为全球SiC器件领域的领军企业，其CoolSiC™系列依托优质导电型SiC衬底，性能领先，重点推荐英飞凌第二代 750V CoolSiC™ MOSFET ，凭借成熟的栅极氧化层技术，在抗寄生导通方面展现出业界领先的可靠
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