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- 知乎盐选 | 3. 1 SiC 半导体材料的基本性质
SiC 独特的性质与其结构密切相关，为此首先需要了解 SiC 的结构。 SiC 有超过 200 多种多型结构，最普通的是立方 3C，六角 4H 和 6H，菱方 15R。 这些多型结构以 Si-C 双原子为结构的基本单元，采用不同的堆垛方式排列而成，如图 3-1 所示 [1，2]。
- 碳化硅（SiC)芯片，指的是晶圆的沉底材料么？ - 知乎
SiC晶圆的晶型 硅化碳（Silicon Carbide，SiC）晶圆通常是单晶的，但是这些单晶SiC晶圆可能由不同的多晶形体构成，SiC的多晶形体包括3C-SiC、4H-SiC、6H-SiC等，每种多晶形都有自己独特的性质。
- SiC 和 IGBT 分别有什么特点？ - 知乎
例外SiC的产能也非常有限，国外也是刚开始大规模进行6英寸SiC晶圆的投产，未来的主要应用还是IGBT功率器件。 IGBT功率器件主要测试参数
- 碳化硅（SiC)的优势是什么，能给电动汽车带有 . . . - 知乎
最后SiC还有一个重要的优势，就是非常适合高压的应用。 我们看到一些主流车厂已经把车的电池电压提高到了800V，以后的高压直流充电桩里面也是用的高压，在这些高压的应用里，以后SiC，特别是高压的1200V的碳化硅比硅会更有优势。
- 关于半导体碳化硅（Sic）外延工艺技术的详解； - 知乎
一、碳化硅（Sic）外延的基本介绍 1、基本概念 在半导体制造领域，“外延” 指的是在单晶衬底上生长一层与衬底具有相同晶体结构的单晶薄膜的过程。 碳化硅外延就是以碳化硅（SiC）单晶片为衬底，通过特定的工艺方法，在其表面生长出一层高质量的碳化硅
- 请问英文中的（sic）该怎么翻译（或者用英语解释出来）? - 知乎
The adverb sic, usually enclosed in brackets, is a word editors use in the reproduction of someone else's speech or writing to indicate that an unexpected form exactly reproduces the original and is not a copier's mistake
- 功率器件中的硅基和SiC材料存在哪些显著差异？ - 知乎
诚如题主所言Si和SiC材料在材料性质、应用场景等多方面有所差异，但是Si IGBT和SiC MOSFET具体存在哪些技术差异呢？小凌从以下几个方面进行系统性的补充，希望对大家有所帮助~ 1 Si和SiC材料特性的主要区别是什么？ 有5个因素决定Si和SiC的材料在电力电子器件上的性能表现， 分别是带隙、击穿场强
- 为什么不用sic做igbt? - 知乎
SiC SBD上采用金属块直接压力接触方法的初步尝试。 使用专门设计的1 6kV SiC-SIJFET。 这种方法在SiC MOSFET上是否可行需要进一步研究另一个问题是，为了充分利用SiC MOSFET的快速开关特性，开关电路中的寄生电感应该最小化。
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