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- 2025年半导体封装和测试系统行业报告 | 全球市场现状及发展趋势
《2025-2031全球与中国半导体封装和测试系统市场现状及未来发展趋势》为行业参与者提供了全面而深入的市场洞察。该报告聚焦全球与中国市场半导体封装和测试系统的产能、产量、销量、销售额、价格及未来趋势等关键指标,重点分析全球与中国市场主要厂商的产品特点、产品规格、价格、销量
- 三星 S26 爆料汇总:新年第一位「机皇」,最大升级却是「防偷窥」?
图|Samsung Semiconductor 或许是去年 Z Flip7 用 Exynos 2500 的反馈还不错,三星预计会在韩版 S26(SM-S942N)上搭载最新的 Exynos 2600 处理器,S26+ 和 S26 Ultra 尚未确定。 作为三星半导体 2nm GAA 工艺下的首款产品,Exynos 2600 的性能相当值得期待。
- 纳微半导体中文官网正式上线!
氮化镓的应用研究已经超过 10 年,目前在各种不同的行业和领域中,都积极开展各种市场验证,或者已经有非常成熟的解决方案。而在纳微半导体的专家与工程师的推动下,GaNFast 氮化镓功率芯片,已经在移动快速充电器和适配器领域处于领先地位,引发了手机高功率快充革命。
- 身处美国内陆小城,美光科技如何守住全球内存前三?
英文参考文献: [1] Irwin, Douglas A “The U S -Japan Semiconductor Trade Conflict ” National Bureau of Economic Research (NBER), Chapter c8717 https: www nber org system files chapters c8717 c8717 pdf [2] “Statement on the Japan-United States Semiconductor Trade Agreement ” Ronald Reagan Presidential Library, July 31
- 被告知晓“相关专利申请”是否构成故意侵权与间接侵权?
美国德州东区法院近期的一则判决(Advanced Integrated Circuit Process LLC v Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd , No 2:25-cv-00324-JRG, Dkt No 104 (E D Tex Mar 10, 2026)),对这一问题给出了较为清晰的边界。法院强调,故意侵权和间接侵权的成立,均以被告“知晓该专利”为前提。换言之,侵权行为不仅要发生,还必须是
- 行业 | 基于AlN单晶衬底的高性能N极性GaN AlGaN AlN HEMT功率器件
该团队宣称AlN将用于高功率、高频和极端环境条件下的应用,这一突破得益于其近期成功开发的N极性AlN单晶衬底原位清洗技术,该技术使得AlN单晶衬底基GaN Al (Ga)N异质结中的二维电子气得以被发现。基于AlN单晶衬底进行外延生长的优势之一是它确保了外延层的低位错密度,通常为104-105cm-2,相比之下
- 物联网智库的微博_微博
移远通信打造具有“超能力”的AI智能玩具解决方案 û收藏 转发 评论 ñ赞 c + 关注 物联网智库 1月13日 18:21 来自 微博 weibo com 发布了头条文章:《探索 nRF54L 系列:Nordic Semiconductor的新一代无线 SoC》 ° 探索 nRF54L 系列:Nordic Semiconductor的新 物联网智库
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