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英文字典中文字典相關資料:
GaN 外延生长方法及生长模式 - 知乎 - 知乎专栏
GaN材料的生长是在高温下，通过TMGa分解出的Ga与NH3的化学反应实现的，生长GaN需要一定的生长温度，且需要一定的NH3分压。 当前GaN的外延生长方法有：氢化物外延生长法（ HVPE ）]、分子束外延（ MBE ）和金属有机化学气相沉积法（ MOCVD ），其特点如下表2-1所示。
芯片制造设备系列（一）：GaN 和它的外延设备们_北京大学东莞光电研究院
MBE （分子束外延法）设备制备 GaN 与 MOCVD 设备类似，在超高真空 (UHV) 条件下的单晶上获得原子尺度生长的 GaN 薄膜。 在固体源 MBE 中，镓元素在真空中热蒸发（典型值为 10-8hPa 到 2x10-5hPa）。容器里的原子扩散通量到达晶圆，在这里进行外延生长。
GaN基激光器外延生长-学位-万方数据知识服务平台
本论文以GaN基激光器外延生长为研究目标，针对GaN基激光器在生长过程中所面临的难点和需解决的关键问题展开了深入的研究。 主要研究内容包括GaN材料的两步法生长、缺陷的补偿作用、激光器有源区的生长、p型掺杂技术、AlGaN限制层的生长和绿光激光器的制备。
目前GaN外延生长的主流技术是什么? - GaNHEMT
主要的gan外延生长技术有金属有机物化学气相淀积( mocvd)、分子束外延(mbe)和氢化物气相外延(hvpe)。 MOCVD技术是一种气相外延生长技术，生长的主要过程简单描述为:把反应原材料以气相方式输运至反应室内，原材料在加热的反应室气氛中化合生成所需的半导体
三维、两维GaN层多次交替结构改善非极性GaN材料质量的外延生长方法
利用金属有机物化学气相沉积(mocvd)技术，外延结构从下向上依次为，r面蓝宝石衬底，低温gan成核层；高压、高v iii比(v族与iii族源摩尔流量比)生长条件生长的三维gan层；低压、低v iii比生长条件生长的二维gan层；三维gan层和二维gan层交替生长数个周期。
GaN-on-Si材料外延生长工艺 - CSDN博客
在技术层面，GaN-on-SiC的制造涉及多个步骤，包括晶体生长、外延、器件设计和微加工等。其中，高质量的氮化镓外延层生长是关键，需要精确控制温度、压力和化学反应物的比例。
基于GaN衬底的两步生长法制备Ga2O3薄膜及光电特性研究-学位-万方数据知识服务平台
为制备出低成本、高质量的β-Ga2O3薄膜，本文采用两步生长法在GaN衬底上制备出高质量β-Ga2O3薄膜，研制了肖特基势垒和金属-半导体金属（MSM）两种类型日盲紫外光电探测器，并进行了光电性能测试。
氮化镓、氧化镓量产最大难点竟是“生长”过程，国产“助长”技术已有突破
科研人员在该设备上开展试生长实验，采用两步生长技术获得GaN单晶材料外延层。第一步在衬底上生长低温缓冲层，第二步对缓冲层进行高温热处理，然后进行三维粗化和三维转二维的合并，最终实现低位错GaN材料的平坦化生长。
GaN 的两步外延横向过度生长,Materials Chemistry and Physics - X-MOL
提出了一种两步外延横向过生长 (elo) 方法来提高基于 gan 的外延层的质量。 在第一步中，我们在 520 °C 下以不同的时间生长了一个三维 GaN 低温缓冲层，第二步类似于传统的 ELO。
GaN材料生长_GaNHEMT氮化镓科技汇
对于第二个问题，采用常规两步生长法，经过高温处理的蓝宝石材料，在550℃，首先生长250A0左右的GaN缓冲层，而后在1050℃生长完美的GaN单晶材料。对于 Si衬底上生长GaN单晶，首先在1150℃生长AlN缓冲层，而后生长GaN结晶。生长该材料的典型条件如下： NH 3 ：3L min
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2005-2009
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